Аннотация:

Рассматриваются две библиотеки моделей микроэлектронных компонентов, разработанные коллективом МИЭМ НИУ ВШЭ и встроенные в промышленные САПР БИС ряда отечественных организаций и предприятий:
- TCAD-RAD-THERM моделей п/п структур в среде Sentaurus Synopsys;
- SPICE RAD-THERM моделей дискретных п/п приборов и компонентов ИС, встроенных в HSPICE, LTSPICE, OrCad, Eldo, Spectre, СИМИКА и др.

Обе библиотеки содержат:
- модели МОПТ, МОПТ КНИ/КНС, Si БТ, SiGe ГБТ, GaAs/GaN MESFET, мощных ДМОПТ, БТ, IGBT и др., учитывающие влияние нейтронов, электронов, гамма- и рентгеновских лучей, протонов, импульсного излучения, одиночных ядерных частиц;
- модели приборов п. 1 , учитывающие влияние внешней высокой температуры (до +300оС) и внутреннего эффекта «саморазогрева»;
- модели приборов п. 1 , учитывающие влияние низких (до -263оС) температур (для схем криогенной электроники);
- модели пассивных компонентов и межсоединений в виде компактных пассивных RtCtLt цепей с температуро-зависимыми параметрами.

Модели превышают зарубежный уровень по части учета ВВФ; аттестованы рядом ведущих отечественных предприятий. Основные преимущества:
- отработанная система экстракции параметров, доступная и понятная разработчикам;
- учет совместного влияния нескольких ВВФ и эффектов старения;
- расширенный температурный диапазон (-263…+300оС).

Описываются методики определения (экстракции) параметров TCAD и SPICE моделей компонентов из результатов измерений электро-физических и электрических характеристик приборов в рабочих диапазонах радиационных воздействий и температур. Приведены примеры использования RAD-THERM моделей в практике разработки и проектирования п/п приборов и цифровых и аналоговых фрагментов БИС и устройств на печатных платах, работающих в условиях действия различных видов радиации, высоких и низких температур.